기존의 반도체 집적 회로는 메모리와 프로세서가 분리되어 데이터를 처리하는 폰 노이만 아키텍처 방식을 이용한다. 그러나 최근 인공지능 컴퓨팅과 빅데이터 처리를 위해 메모리와 프로세서 간 데이터 전달량이 증가함에 따라 처리 속도가 한계에 이 르는 폰노이만 병목 현상이 발생하고 있다. 이에 해결책으로 메모리와 프로세스를 통합한 프로세스 인 메모리 기술이 주목받고 있다. 이들은 빠른 연산처리 속도와 전 력 소비량을 줄일 수 있다는 점에서 매우 큰 강점이 있다. 이를 달성하기 위해 강유 전성을 활용할 수 있음이 최근 여러 연구를 통해 입증되기 시작하였으며, 상대적으 로 낮은 두께에서 강유전 특성을 갖는 Hafnium oxide 물질이 주목받고 있다. _x000D_
<br> 많은 연구에서 제시하고 있는 Hafnium oxide의 강유전성 발현 방법은 Oxygen Vacancy의 제어이다. Oxygen Vacancy이 생기면, 박막 내에 비 중심 대칭적인 결정 구조가 형성된다. 따라서 결정 구조가 orthorhombic phase로 바뀌게 되는데, 이러한 orthorhombic phase에서 강유전성이 발현되는 것이 이미 활발히 보고되었다. _x000D_
<br> orthorhombic 상을 형성하기 위해 Oxygen Vacancy의 제어가 중요하다는 것이 많 이 알려진 가운데, Zr, Ce, Si 과 같은 원소의 doping을 통한 연구가 많이 이뤄지고 있다. Doping의 경우 화학적 조성, Oxygen Vacancy의 제어와 강유전 특성의 발현을 위한 열처리 조건이 어렵다는 문제점을 극복해야 한다. _x000D_
<br> 본 연구에서는 HfO2 박막의 강유전성 최적화를 위해, TiO2의 도핑을 통한 HfO2- TiO2 박막의 제조 및 열처리 조건 최적화를 진행하고, 차세대 반도체 소자로 응용 가능성을 보여준다. _x000D_
<br> 첫째로, PEALD를 이용해 증착된 HfO2-TiO2 박막의 구조에 따른 전기적 특성을 비 교하기 위해 Si 기판 위에 10nm 의 HfO2-TiO2을 3층 구조와 5층 구조로 증착한 후, 상부 전극으로 E-beam evaporation을 이용해 Ti/Au를 증착하여 MOS stack을 형성 하였다. 이후 박막의 특성 및 전기적 특성을 비교 분석 하였다. 이를 통해 최적의 강 유전성을 위한 구조 선택의 초석을 제공하였다. _x000D_
<br> 둘째로, PEALD를 이용해 증착된 HfO2-TiO2 박막의 강유전성을 확인하였다. 강 유전성을 최적화하기 위하여 박막의 조성과 열처리 공정의 조건을 다양화하였다. 박 막의 조성은 증착 시, HfO2와 TiO2의 cycle 수를 조절하여 제어하였다. 또한, 열처리 공정에서 열처리 온도, 유량, 시간 조건을 다양화하여 진행하였다. 이후 상부 전극으 로 E-beam Evaporation을 이용해 Ti/Au를 증착하여 MIM stack을 형성하였다. 이후 박막의 특성 및 전기적 특성을 비교분석 하였다. 이를 통해, HfO2-TiO2 박막의 강유 전성을 처음으로 확인했으며, 추후 강유전성 소자로의 기능이 가능함을 확인하였다. _x000D_
<br> 결론적으로, 차세대 반도체 소자로서 강유전성 물질이 주목받고 있으며, 본 연 구에서는 HfO2-TiO2 박막의 구조에 따른 강유전성을 확인하였다. 이를 활용하여, 차 세대 강유전성 소자로의 응용 가능성을 보여주었다. 이 연구를 통해서 차세대 초 저 전력 초고속 메모리 소자의 개발에 있어서 HfO2-TiO2 공정의 활용성을 재고해보고, 이 연구의 결과가 HfO2-TiO2 강유전성 연구에 대한 초석이 되길 기대한다.
Alternative Abstract
기존의 반도체 집적 회로는 메모리와 프로세서가 분리되어 데이터를 처리하는 폰 노이만 아키텍처 방식을 이용한다. 그러나 최근 인공지능 컴퓨팅과 빅데이터 처리를 위해 메모리와 프로세서 간 데이터 전달량이 증가함에 따라 처리 속도가 한계에 이 르는 폰노이만 병목 현상이 발생하고 있다. 이에 해결책으로 메모리와 프로세스를 통합한 프로세스 인 메모리 기술이 주목받고 있다. 이들은 빠른 연산처리 속도와 전 력 소비량을 줄일 수 있다는 점에서 매우 큰 강점이 있다. 이를 달성하기 위해 강유 전성을 활용할 수 있음이 최근 여러 연구를 통해 입증되기 시작하였으며, 상대적으 로 낮은 두께에서 강유전 특성을 갖는 Hafnium oxide 물질이 주목받고 있다. _x000D_
<br> 많은 연구에서 제시하고 있는 Hafnium oxide의 강유전성 발현 방법은 Oxygen Vacancy의 제어이다. Oxygen Vacancy이 생기면, 박막 내에 비 중심 대칭적인 결정 구조가 형성된다. 따라서 결정 구조가 orthorhombic phase로 바뀌게 되는데, 이러한 orthorhombic phase에서 강유전성이 발현되는 것이 이미 활발히 보고되었다. _x000D_
<br> orthorhombic 상을 형성하기 위해 Oxygen Vacancy의 제어가 중요하다는 것이 많 이 알려진 가운데, Zr, Ce, Si 과 같은 원소의 doping을 통한 연구가 많이 이뤄지고 있다. Doping의 경우 화학적 조성, Oxygen Vacancy의 제어와 강유전 특성의 발현을 위한 열처리 조건이 어렵다는 문제점을 극복해야 한다. _x000D_
<br> 본 연구에서는 HfO2 박막의 강유전성 최적화를 위해, TiO2의 도핑을 통한 HfO2- TiO2 박막의 제조 및 열처리 조건 최적화를 진행하고, 차세대 반도체 소자로 응용 가능성을 보여준다. _x000D_
<br> 첫째로, PEALD를 이용해 증착된 HfO2-TiO2 박막의 구조에 따른 전기적 특성을 비 교하기 위해 Si 기판 위에 10nm 의 HfO2-TiO2을 3층 구조와 5층 구조로 증착한 후, 상부 전극으로 E-beam evaporation을 이용해 Ti/Au를 증착하여 MOS stack을 형성 하였다. 이후 박막의 특성 및 전기적 특성을 비교 분석 하였다. 이를 통해 최적의 강 유전성을 위한 구조 선택의 초석을 제공하였다. _x000D_
<br> 둘째로, PEALD를 이용해 증착된 HfO2-TiO2 박막의 강유전성을 확인하였다. 강 유전성을 최적화하기 위하여 박막의 조성과 열처리 공정의 조건을 다양화하였다. 박 막의 조성은 증착 시, HfO2와 TiO2의 cycle 수를 조절하여 제어하였다. 또한, 열처리 공정에서 열처리 온도, 유량, 시간 조건을 다양화하여 진행하였다. 이후 상부 전극으 로 E-beam Evaporation을 이용해 Ti/Au를 증착하여 MIM stack을 형성하였다. 이후 박막의 특성 및 전기적 특성을 비교분석 하였다. 이를 통해, HfO2-TiO2 박막의 강유 전성을 처음으로 확인했으며, 추후 강유전성 소자로의 기능이 가능함을 확인하였다. _x000D_
<br> 결론적으로, 차세대 반도체 소자로서 강유전성 물질이 주목받고 있으며, 본 연 구에서는 HfO2-TiO2 박막의 구조에 따른 강유전성을 확인하였다. 이를 활용하여, 차 세대 강유전성 소자로의 응용 가능성을 보여주었다. 이 연구를 통해서 차세대 초 저 전력 초고속 메모리 소자의 개발에 있어서 HfO2-TiO2 공정의 활용성을 재고해보고, 이 연구의 결과가 HfO2-TiO2 강유전성 연구에 대한 초석이 되길 기대한다.
