O2 Plasma을 이용한 ALD SEAM 제어 식각 방법

Abstract

본 논문에서는 반도체 소자 중 Vertical NADN flash memory 제조 공정 중 Channel- hole의 일부분인 Etch back공정에서의 etching을 효율 개선을 하기 위해서 실험으로 연구를 진행하였다. <br>Channel hole내부를 채우는 Oxide는 ALD(atomic layer deposition: ALD)증착 방법으로 만든다. Channel hole내부에 oxide막질 성장 시 사용하는 gas로 트리스-디멜틸아미-노 실란(TDMAS)사용하는데, 증착 후 wafer표면은 소수성 특정을 가지게 된다. 이런 소수성 특성으로 etching시 wafer표면 etching gas흡착하는데 방해하는 요소로 작용한다. 본 연구에서 O2 Plasma를 이용하여 wafer표면을 소수성에서 친수성으로 변화하여 etching gas의 흡착을 증대 시켜 etch rate효율이 개선되는 것으로 예상하였으며, 개선 효과는 HDP(high-density plasma chemical vapor deposition: HDP)oxide와 ALD(atomic layer deposition: ALD)oxide를 이용하여 스펙트로 포토미터(spectro-photometer)로 측정하였으며. 그리고 실제 소자 제품으로 SEM(scanning electron microscope: SEM)로 연구 결과를 확인하였다. 본 연구를 통해 다른 gas를 사용하는 etching에서 널리 작용될 수 있을 것으로 기대된다.