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  <dcvalue element="contributor" qualifier="advisor">안영환</dcvalue>
  <dcvalue element="contributor" qualifier="author">윤종호</dcvalue>
  <dcvalue element="date" qualifier="issued">2017-02</dcvalue>
  <dcvalue element="identifier" qualifier="other">24672</dcvalue>
  <dcvalue element="identifier" qualifier="uri">https:&#x2F;&#x2F;aurora.ajou.ac.kr&#x2F;handle&#x2F;2018.oak&#x2F;11356</dcvalue>
  <dcvalue element="description" qualifier="none">학위논문(석사)--아주대학교&#x20;일반대학원&#x20;:에너지시스템학과,2017.&#x20;2</dcvalue>
  <dcvalue element="description" qualifier="abstract">1947년&#x20;트랜지스터가&#x20;발명된&#x20;이후로&#x20;전자&#x20;공학&#x20;기술은&#x20;끊임없이&#x20;발전&#x20;해왔다.&#x20;그&#x20;이전까지&#x20;진공관이&#x20;차지하던&#x20;역할을&#x20;트랜지스터가&#x20;대체하기&#x20;시작하면서&#x20;사회&#x20;전반에&#x20;걸쳐&#x20;전자기기의&#x20;기술&#x20;수준이&#x20;상승하였고&#x20;이는&#x20;트랜지스터&#x20;제작&#x20;공정기술의&#x20;발전과&#x20;함께&#x20;하였다.&#x20;21세기인&#x20;지금&#x20;트랜지스터&#x20;공정&#x20;기술은&#x20;그&#x20;정점에&#x20;이르고&#x20;있다.&#x20;최근&#x20;삼성에서는&#x20;채널의&#x20;선폭을&#x20;18&#x20;nm&#x20;까지&#x20;줄인&#x20;D램을&#x20;양산하기&#x20;시작했으며&#x20;IBM에서는&#x20;7&#x20;nm&#x20;선폭&#x20;제작에&#x20;성공한&#x20;바&#x20;있다.&#x0A;실리콘&#x20;기반의&#x20;전자&#x20;소자는&#x20;지금까지&#x20;성공적으로&#x20;발전해&#x20;왔다.&#x20;하지만&#x20;소자&#x20;제작&#x20;공정&#x20;기술의&#x20;발전은&#x20;스케일이&#x20;나노미터&#x20;급의&#x20;극한으로&#x20;가면서&#x20;점차&#x20;한계에&#x20;다다르고&#x20;있다.&#x20;소자&#x20;스케일의&#x20;축소와&#x20;이에&#x20;따른&#x20;집적도의&#x20;증가는&#x20;발열,&#x20;전력&#x20;소모의&#x20;증가,&#x20;이동도의&#x20;감소&#x20;등의&#x20;물리적&#x20;한계를&#x20;가져왔다.&#x20;이러한&#x20;물리적&#x20;한계를&#x20;극복하기&#x20;위해&#x20;기존의&#x20;실리콘&#x20;기반&#x20;반도체&#x20;소자로&#x20;부터&#x20;벗어나&#x20;다양한&#x20;물질,&#x20;미시적인&#x20;구조에서&#x20;오는&#x20;양자역학적&#x20;특성을&#x20;이용한&#x20;전자&#x20;소자&#x20;개발&#x20;연구가&#x20;세계적으로&#x20;활발히&#x20;이루어&#x20;지고&#x20;있다.&#x0A;최근&#x20;차세대&#x20;반도체&#x20;소자의&#x20;원료로써&#x20;SiC,&#x20;GaN&#x20;등이&#x20;주목받고&#x20;있으며&#x20;이&#x20;외에도&#x20;다양한&#x20;물질들을&#x20;소자에&#x20;적용시키는&#x20;연구가&#x20;진행되어오고&#x20;있다.&#x20;Oxide&#x20;heterostructure는&#x20;oxide&#x20;경계면에서&#x20;높은&#x20;자유&#x20;전자&#x20;밀도를&#x20;지니며&#x20;높은&#x20;이동도와&#x20;강자성,&#x20;초전도성&#x20;등&#x20;기존의&#x20;실리콘&#x20;기반의&#x20;반도체에서는&#x20;볼&#x20;수&#x20;없었던&#x20;흥미로운&#x20;물리적&#x20;특성들을&#x20;갖는&#x20;것으로&#x20;확인되어&#x20;오고&#x20;있다.&#x20;전자&#x20;소자로서&#x20;활용되기&#x20;위해서는&#x20;전기장을&#x20;이용한&#x20;전기적&#x20;특성의&#x20;변조&#x20;가능성이&#x20;필수적인데&#x20;최근&#x20;연구에&#x20;따르면&#x20;전기장을&#x20;이용,&#x20;oxide&#x20;heterostructure에서&#x20;고&#x20;밀도의&#x20;전자&#x20;가스&#x20;제어가&#x20;가능하다는&#x20;것이&#x20;증명되었다.&#x20;이러한&#x20;전계&#x20;효과&#x20;트랜지스터와&#x20;같은&#x20;전자&#x20;소자로서의&#x20;가능성이&#x20;계속해서&#x20;증명되어오고&#x20;있으며&#x20;이에&#x20;따라&#x20;센서,&#x20;메모리&#x20;등의&#x20;분야에서도&#x20;oxides&#x20;hterostructure에&#x20;대한&#x20;연구가치를&#x20;높게&#x20;평가하고&#x20;있다.&#x0A;본&#x20;연구는&#x20;Scanning&#x20;Photocurrent&#x20;Microscopy을&#x20;이용하여&#x20;oxide&#x20;heterostructure의&#x20;oxide&#x20;경계면에서의&#x20;에너지&#x20;밴드&#x20;구조를&#x20;분석하였다.&#x20;전계&#x20;효과에&#x20;따른&#x20;광전류와&#x20;전극&#x20;사이&#x20;채널&#x20;저항의&#x20;변화를&#x20;토대로&#x20;헤테로&#x20;구조를&#x20;구성하는&#x20;두&#x20;oxide의&#x20;접합부에서&#x20;에너지&#x20;밴드&#x20;구조를&#x20;수치화하였다.&#x20;이러한&#x20;연구는&#x20;앞으로&#x20;oxide&#x20;heterostructure를&#x20;전자&#x20;소자로서&#x20;응용하기&#x20;위한&#x20;연구에&#x20;기반이&#x20;되는&#x20;정보를&#x20;제공한다는&#x20;점에&#x20;있어서&#x20;큰&#x20;연구&#x20;가치를&#x20;갖는다.</dcvalue>
  <dcvalue element="description" qualifier="tableofcontents">제&#x20;1&#x20;장.&#x20;서&#x20;론&#x09;1&#x0A;제&#x20;2&#x20;장.&#x20;이&#x20;론&#x09;4&#x0A;2.1&#x20;Oxide&#x20;Heterostructure&#x09;4&#x0A;2.2&#x20;페로브스카이트&#x20;물질&#x09;6&#x0A;2.3&#x20;Strontium&#x20;titanate&#x20;(SrTiO3)&#x09;7&#x0A;2.4&#x20;Polar&#x20;Catastrophe&#x09;8&#x0A;2.5&#x20;Al2O3&#x2F;SrTiO3&#x20;Heteroctructure의&#x20;2DEG&#x20;형성&#x20;매커니즘&#x09;11&#x0A;2.6&#x20;Carrier&#x20;Dynamics&#x20;:&#x20;표동과&#x20;확산&#x09;13&#x0A;2.7&#x20;Scanning&#x20;Photocurrent&#x20;Microscopy&#x09;16&#x0A;2.8&#x20;Scanning&#x20;Photocurrent&#x20;Microscopy를&#x20;이용한&#x20;나노&#x20;스케일&#x20;소자의&#x20;특성&#x20;분석&#x09;19&#x0A;제&#x20;3&#x20;장.&#x20;실험&#x20;방법&#x09;23&#x0A;3.1&#x20;Al2O3&#x2F;SrTiO3&#x20;샘플&#x20;제작&#x09;23&#x0A;3.1.1&#x20;TiO2-terminated&#x20;SrTiO3&#x09;23&#x0A;3.1.2&#x20;ALD를&#x20;이용한&#x20;Al2O3&#x20;증착&#x20;공정&#x09;25&#x0A;3.1.3&#x20;Photolithography&#x20;공정을&#x20;이용한&#x20;금속&#x20;전극&#x20;제작&#x09;27&#x0A;제&#x20;4&#x20;장.&#x20;실험&#x20;결과&#x09;28&#x0A;4.1&#x20;Bare-SrTiO3&#x20;소자의&#x20;광전류&#x20;특성&#x20;분석&#x09;28&#x0A;4.2&#x20;Al2O3&#x2F;SrTiO3&#x20;소자의&#x20;광전류&#x20;특성&#x20;분석&#x09;33&#x0A;4.2.1&#x20;Ambient&#x20;condition에서&#x20;Al2O3&#x2F;SrTiO3&#x20;소자의&#x20;광전류&#x20;분석&#x09;33&#x0A;4.2.2&#x20;Electrolyte&#x20;환경에서&#x20;Al2O3&#x2F;SrTiO3&#x20;소자의&#x20;광전류&#x20;측정&#x09;37&#x0A;4.2.3&#x20;Al2O3&#x2F;SrTiO3&#x20;소자의&#x20;Electrolyte-gating&#x20;광전류&#x20;측정&#x09;40&#x0A;4.2.4&#x20;Al2O3&#x2F;SrTiO3&#x20;Heterostructure의&#x20;Band&#x20;Alignment&#x09;45&#x0A;제&#x20;5&#x20;장.&#x20;결&#x20;론&#x09;48&#x0A;References&#x09;50&#x0A;Abstract.55</dcvalue>
  <dcvalue element="language" qualifier="iso">kor</dcvalue>
  <dcvalue element="publisher" qualifier="none">The&#x20;Graduate&#x20;School,&#x20;Ajou&#x20;University</dcvalue>
  <dcvalue element="rights" qualifier="none">아주대학교&#x20;논문은&#x20;저작권에&#x20;의해&#x20;보호받습니다.</dcvalue>
  <dcvalue element="title" qualifier="none">광전류&#x20;영상측정법을&#x20;이용한&#x20;복합&#x20;산화물&#x20;기반&#x20;이차원&#x20;전자&#x20;가스&#x20;시스템의&#x20;에너지&#x20;밴드&#x20;구조&#x20;분석</dcvalue>
  <dcvalue element="type" qualifier="none">Thesis</dcvalue>
  <dcvalue element="contributor" qualifier="affiliation">아주대학교&#x20;일반대학원</dcvalue>
  <dcvalue element="contributor" qualifier="department">일반대학원&#x20;에너지시스템학과</dcvalue>
  <dcvalue element="date" qualifier="awarded">2017.&#x20;2</dcvalue>
  <dcvalue element="description" qualifier="degree">Master</dcvalue>
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  <dcvalue element="subject" qualifier="keyword">Oxide&#x20;heterostructure</dcvalue>
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