이재진 김경현 2011-02 11655 https://aurora.ajou.ac.kr/handle/2018.oak/9769 학위논문(석사)----아주대학교 일반대학원 :전자공학과,2011. 2 본 논문에서는 박막형 InGaP/GaAs 이중접합 태양전지의 제작과 그 특성에 대한 연구를 수행 하였다. AlGaAs 희생층을 포함한 InGaP/GaAs 이중접합 태양전지 epi-layer를 inverted 방식으로 GaAs 기판에 MOCVD 법을 이용하여 성장하였고, 8 ㎛ 두께의 구리 금속 박막과 Si 기판을 carrier로 이용하여 GaAs 기판을 제거한 후 일반적인 반도체 공정을 이용하여 박막형 태양전지를 제작하였다. 사진식각을 위한 소다라임 글라스 마스크를 오토캐드 프로그램을 이용하여 설계하였고, 저항접촉을 위한 열처리 온도, 습식식각등 공정기술을 최적화하였다. GaAs 기판을 습식 식각법으로 제거한 후 FIB로 epi-layer의 단면 구조를 측정하여 태양전지의 손상여부를 확인하였다. 제작한 태양전지의 광전변환 효율은 solar simulator를 사용하여 AM 1.5G, 25℃ 조건에서 측정하였다. Silicon 기판을 carrier로 사용하여 공정한 박막형 InGaP/GaAs 이중접합 태양전지의 VOC는 2.01V, JSC는 10.25㎃/㎠, 광전변환효율은 11.3%로 측정되었으며, 구리 금속박막을 carrier로 사용하여 공정한 박막형 InGaP/GaAs 이중접합 태양전지의 VOC는 1.94V, JSC는 10.23㎃/㎠, 광전변환효율은 10.7%로 측정되었다. 제작한 박막형 InGaP/GaAs 이중접합 태양전지는 일반적인 벌크형 InGaP/GaAs 이중접합 태양전지와 비교하여 무게가 가볍고 쉽게 파손되지 않아 우주용으로 적합하다. 그리고 열전도가 우수한 장점이 있으며 유연한 구조의 태양전지를 제작할 수 있기 때문에 다양한 분야에 활용이 기대된다. 1 장 서 론 1 제 2 장 태양전지의 원리 및 이론 3 제 3 장 실 험 18 제 1 절 박막형 InGaP/GaAs 이중접합 태양전지 박막 성장 18 제 2 절 사진 식각을 위한 Mask 디자인 및 제작 20 제 3 절 박막형 태양전지 제작 22 제 1 항 구리 금속박막을 carrier로 이용한 박막형 태양전지 제작 22 제 2 항 Si wafer를 carrier로 이용한 박막형 태양전지 제작 30 제 4 장 측정 및 고찰 32 제 5 장 결론 및 향후 과제 35 참고문헌 38 Abstract 40 kor The Graduate School, Ajou University 아주대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다. 박막형 InGaP/GaAs 이중접합 태양전지 제작 및 특성 Kyounghyun Kim Thesis 아주대학교 일반대학원 Kyounghyun Kim 일반대학원 전자공학과 2011. 2 Master http://dcoll.ajou.ac.kr:9080/dcollection/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000011655 태양전지 박막형 3-5 화합물 반도체 InGaP/GaAs