김창구 정희석 2005 321 https://aurora.ajou.ac.kr/handle/2018.oak/7174 학위논문(석사)--아주대학교 대학원 :화학공학과,2005 최근에 Si을 기반으로 하는 여러 가지 소자의 최소선폭이 감소하면서 박막의 두께도 극히 얇아지게 되었다. 반도체 소자의 크기가 점점 감소하고 있는 상황에서 전통적인 플라즈마 식각공정으로는 원자단위까지 제어하기가 어렵기 때문에 원자단위로 식각을 할 수 있는 방법 중 하나인 원자층식각(Atomic Layer Etching, ALET)에 많은 기대가 모아지고 있다. ALET에서는 식각제의 흡착과 반응이 동시에 일어나지 않고 연속적으로 이루어지기 때문에 원자수준의 정밀한 식각이 가능하다. ALET에서는 식각제와 이온빔의 유입량에 대한 자기제한성(self-limited characteristic)이 있어야 한다. 따라서 ALET을 수행하기 위해서는 식각제와 이온빔의 선택이 매우 중요하다. 이에 본 연구에서는 ALET 공정에서 사용할 후보로서 식각제와 이온빔을 각각 Cl2과 Ar plasma로 선정하여 Cl2의 Si에 대한 자발적 식각유무와 기체유속, 압력, sourece power, bias power 등의 공정변수를 변화시켰을 때 실리콘 기판에 대한 Ar plasma의 식각특성에 대해 고찰하였다. 목차 표 차례 (List of Tables) = ⅱ 그림 차례 (List of Figures) = ⅲ Ⅰ 서론 = 1 Ⅱ 이론적 배경 = 3 A 플라즈마 = 3 B 플라즈마 식각 = 7 C 원자층 식각 = 9 Ⅲ 실험 = 14 A 실험장치 = 14 B 실험방법 = 14 Ⅳ 결과 및 고찰 = 19 A 식각제 = 19 B 이온빔의 식각특성 = 21 Ⅴ 결론 = 29 Ⅵ 참고 문헌 = 31 Abstract = 34 kor The Graduate School, Ajou University 아주대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다. 실리콘의 원자층식각을 위한 식각제와 이온빔의 선택에 관한 연구 A Study on the Selection of Etchant and Ion beam for Atomic Layer Etching of Silicon Thesis 아주대학교 일반대학원 Jeong, Hee Seok 일반대학원 화학공학과 2005. 2 Master http://dcoll.ajou.ac.kr:9080/dcollection/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000000321 Recently, the width of the thin film has been decreased according as the least line width of various Si devices has been lessened. An ALET(Atomic Layer Etching), one of the atomic etching method, has a lot of concerns for the difficulty of controls of conventional plasma etching processes. The ALET is able to etch objects precisely in the atomic layers not for simultaneous process between adsorptions and reactions of etchant, but for consecutive process between them. The ALET should have a self-limited characteristic as the influx of etchant and ion beam. To achieve ALET properly, selecting etchant and ion beam is very important. In this work, chlorine and argon were used in the ALET as the subject of etchant and ion beam to investigate the spontaneous etching of chloride to silicon wafer and the etching characteristic of argon plasma to silicon wafer with controlling the process parameters which are flow rate, chamber pressure, source power, and bias power.