조중열 윤준호 2009-02 9440 https://aurora.ajou.ac.kr/handle/2018.oak/4593 학위논문(석사)--아주대학교 일반대학원 :전자공학과,2009. 2 본 논문에서는 상용화에 용이한 MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)방법으로 ZnO 박막 성장 시 조건을 변화하여 defect를 감소시키고 결과적으로 positive 문턱전압 값을 가지는 enhancement type의 ZnO TFT를 만들었다. 추가로 P-type ZnO 개발을 위해 5족 원소(P, N ,As)와 Mg(magnesium)를 포함하는 물질(P2O5, N2O, GaAs, CPMg)를 불순물로 첨가하여 acceptor로의 작용 여부를 확인하였다. 제 Ⅰ 장 서 론 제 Ⅱ 장 본 론 제 1 절. ZnO 박막 성장 및 ZnO-TFT 제작 제 2 절. Growth Interruption 방법을 이용한 ZnO 성장 제 3 절. P-type ZnO TFT를 위한 불순물 연구 제 1 항. P2O5를 불순물 공급원으로 사용한 ZnO TFT 제 2 항. N2O를 불순물 공급원으로 사용한 ZnO TFT 제 3 항. GaAs를 불순물 공급원으로 사용한 ZnO TFT 제 4 항. CPMg를 불순물 공급원으로 사용한 ZnO TFT 제 Ⅲ 장 결 론 kor The Graduate School, Ajou University 아주대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다. MOCVD를 이용한 Enhancement 타입의 ZnO Thin-film Transistor 연구 Yun Junho Thesis 아주대학교 일반대학원 Yun Junho 일반대학원 전자공학과 2009. 2 Master http://dcoll.ajou.ac.kr:9080/dcollection/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000009440 MOCVD TFT ZnO