張重淳 박명서 2005 451 https://aurora.ajou.ac.kr/handle/2018.oak/16432 학위논문(석사)--아주대학교 산업대학원 :산업시스템과 품질시스템전공,2005 메모리 반도체 산업의 핵심 성공요소는 "품질을 고려한 스피드"라고 정의할 수 있는데 즉, 개발 후 신제품이 양산되어 고객에게 전달되는 양산화 스피드가 사업의 성패를 결정하는 것으로 알려져 있다. 이에 따라 신제품 개발과 양산화, 그리고 끊임없는 개선활동을 지향하게 된다. 그 결과로 변화와 변경점이 수시로 발생하게 된다. 고객만족과 품질, 생산성 향상을 목적으로 의도된 변경이 대부분이었지만, 예상될 수 있는 문제점등을 충분하게 검토 및 반영이 덜된 상태에서 품질 문제가 발생되거나, 품질 신뢰성의 잠재적인 문제가 고객에게 출하된 후 문제점이 발견되어 품질사고로 이어진다면 고객에 큰 손실을 가져오게 됨은 물론, 양산을 위한 스피드에 치명적인 손상을 주어서 기업에 막대한 피해를 주게 된다. 품질을 고려한 스피드한 양산을 위하여는 잠재되어 있는 여러 문제점을 조기에 발견하고 미리 해결하여 근본 문제점을 없애는 것이 선행 과제이다. 그래서 지금 까지의 검사 및 제조 단계의 품질 관리에 활용되어 온 문제해결법 이나 재발방지법을 가지고는 경쟁우위의 목표를 달성 할 수 없다. 프로세스가 미세화 될수록 사고예방 프로세스 개선의 필요성을 느끼게 되었으며, 이를 위하여 예방 프로세스 구축이 잘되어 있는 것으로 알려져 있는 선진업체들의 미연방지 기법을 구성요소, 전개절차, 적용사례 및 효과 관점에서 살펴 보았다. 먼저 도요타 미연방지 시스템에 대하여 연구하였다. 도요타 미연방지 시스템은 도요타식 미연방지수법 GD³(어떤 방법으로 문제를 미연에 방지 할 수 있는가) 이라는 이름으로 " 변경시 변경 자체를 최대한 억제하는 품질 정책을 반영하고 그럼에도 불구하고 변경이 발생된다면 변경된 곳이 분명하게 보이도록 하며, 보인 곳에서 문제를 찾게 하는 창조적인 미연방지 방법"이라는 문제발견법 이다. 다음으로 Intel사의 양산 이전 단계(R&D에서 양산FAB)에서 변경을 최대한 없애기 위해서 R&D와 Copy Exactly를 실시하는 Intel Copy Exactly을 연구하였다. 도요타식 미연방지수법 GD³ 와 Intel CE 방식의 연구를 통하여 양산화 스피드와 공정기술이 특히 중요시되는 메모리 반도체 FAB에서의 미연방지 시스템을 GD⁴ ( Good Change Mind, Good Change Discussion, Good Change Review, Good Change check )라 정의하여 시스템을 제시 하였고 새롭게 고안한 CRBFM(Change Review Based on FMEA)에 대하여는 시스템의 효과성을 입증 하였다. 목차 표목차 그림목차 부록목차 국문요약 제 1 장 서론 = 11 1.1 연구 배경 및 목적 = 11 1.2 연구 방법 및 범위 = 13 제 2 장 도요타 미연방지 시스템 GD³ 연구 = 15 2.1 GD³ 개요 및 배경 = 15 2.2 GD³ 구성 요소 = 19 2.3 GD³ 전개 절차 = 24 2.4 GD³ 적용사례 및 결과 = 27 제 3 장 INTEL Copy Exactly 연구 = 33 3.1 Copy Exactly 개요 = 33 3.2 Copy Exactly 구성요소 = 34 3.3 Copy Exactly 전개 절차 = 35 3.4 적용사례 및 검토 = 38 제 4 장 반도체 미연방지 GD⁴ 시스템 구축 = 40 4.1 반도체 미연 방지 시스템 고찰 = 40 4.2 GD⁴ 시스템 개념 설계 = 43 4.3 Good Change Mind (좋은 마음) = 46 4.4 Good Change Discussion (좋은 논의) = 48 4.5 Good Change Review (좋은 검토) = 53 4.6 Good Change Check (좋은 확인) = 56 제 5 장 GD⁴ 적용 연구 = 57 5.1 CRBFM 적용 결과 = 57 5.2 CRBTR 적용 결과 = 59 5.3 추가 검토 사항 (COPY Exactly 검토) = 60 제 6 장 결론 = 62 부록 = 65 참고문헌 = 76 Abstract = 77|표목차 <표2.1> 수지 기능부품의 FMEA 적용 사례 = 28 <표4.1> 공정변경시 PFMEA 사용현황 설문조사 = 42 <표4.2> 미연방지 시스템 비교 : 도요타 - GD³ vs 인텔 - CE = 43 <표4.3> 미연방지 시스템 검토 = 44 <표4.4> 반도체 미연방지 GD⁴ 개념도입 = 45 <표4.5> Check List, FMEA, CRBFM의 차이점 = 49 <표5.1> FMEA / DRBFM / CRBFM 분석표 = 58 <표5.2> DRBTR / CRBTR 비교표 = 59 <표5.3> Copy Exactly 성공하고 있는 기업의 특징 = 60 <표5.4> Copy Exactly 정의 Table = 61|그림목차 <그림2.1> 미연방지와 로지스틱 곡선 = 16 <그림2.2> 로지스틱 곡선의 스텝과 필요한 기술 = 16 <그림2.3> DRBFM (TR) FLOW = 24 <그림2.4> DRBFM 프로세스 = 25 <그림2.5> DRBTR 프로세스 = 26 <그림4.1> GD⁴ 구성 = 46 <그림4.2> CRBFM = 51 <그림4.3> CRBFM 프로세스 = 52 <그림4.4> CRBFM 실시타이밍 = 53|부록목차 <부록2.1> FMEA WORK SHEET = 66 <부록2.2> DRBFM WORK SHEET = 67 <부록2.3> DRBTR WORK SHEET = 68 <부록2.4> 수지 기능부품의 FMEA사례1 = 69 <부록2.5> 수지 기능부품의 FMEA사례2 = 70 <부록5.1> CRBFM 실시 : FMEA(S사) SHEET사용 = 71 <부록5.2> CRBFM 실시 : DRBFM SHEET사용 = 72 <부록5.3> CRBFM 실시 : CRBFM SHEET사용 = 73 <부록5.4> CRBTR 실시 : DRBTR SHEET사용 = 74 <부록5.5> CRBTR 실시 : CRBTR SHEET사용 = 75 kor The Graduate School, Ajou University 아주대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다. 半導體 FAB 未然防止 GC⁴ 시스템 適用 硏究 A Study of application on GC⁴ of Fabrication Line of Semiconductor Thesis 아주대학교 산업대학원 Park, Myung Suh 산업대학원 산업시스템공학과 2005. 2 Master http://dcoll.ajou.ac.kr:9080/dcollection/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000000451 We define one of successful factor in semiconductor memory industry as "speed with a consideration of quality," that is, speed of delivery to customer after developing new product will contribute the success of semiconductor industry. Therefore, it is necessary to develop and produce a new product and improve it constantly. As the result, there occur a number of changes in mass production process/equipment/materials. Most of changes are intended to satisfy customer and improve quality and productivity, but quality problem occasionally occurs in case of an insufficient investigation and application to the changed process. Also, if the potential quality and reliability problem were found out after shipping product to the customer, it would bring a big loss for the customer and serious damage to the productivity speed. As a result, a loss in the semiconductor business would be enormous. For the speedy production with a consideration of quality, it is required to remove common causes by discovering and solving potential problems. For the reason, it might be impossible to achieve our objectives in a competitive high position with the existing problem solution or recurrence prevention method applied to quality control. It is necessary to improve the process for problem prevention as semiconductor process is getting detailed. In order to improve the process, it was studied a beforehand-prevention technique of the advanced companies, which are well known of prevention process system, from integral part, development process, application instance and effective point of view. First of all, it was studied Toyota beforehand-prevention technique system, called 'Toyota MIZEN BOUSI GD³' (how to prevent problem beforehand). It is the problem detection method that "at changes in mass production process/equipment/materials, we need to address a quality policy that minimizes the unnecessary process change as much as possible. Nevertheless, if the process change would take place, we should clearly present what is changed and search the problem from it using the creative detection method." The next study was the 'Intel Copy Exactly' that conducts R&D and Copy Exactly at before producing product (from R&D to FAB) to minimize a number of changes in mass production process/equipment/materials as much as possible. Through Toyota's beforehand-prevention system GD³ and Intel's CE, we established the Beforehand-Prevention System defining it as GD⁴ (Good Change Mind, Good Change Discussion, Good Change Review, Good Change Check) and proved the effectiveness of CRBFM (Change Review Based on FMEA), which is newly designed in the semiconductor memory FAB where speed and process technique are specially considered seriously.