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  <dcvalue element="contributor" qualifier="advisor">허준석</dcvalue>
  <dcvalue element="contributor" qualifier="author">남성현</dcvalue>
  <dcvalue element="date" qualifier="issued">2019-08</dcvalue>
  <dcvalue element="identifier" qualifier="other">29054</dcvalue>
  <dcvalue element="identifier" qualifier="uri">https:&#x2F;&#x2F;aurora.ajou.ac.kr&#x2F;handle&#x2F;2018.oak&#x2F;15443</dcvalue>
  <dcvalue element="description" qualifier="none">학위논문(석사)--아주대학교&#x20;일반대학원&#x20;:전자공학과,2019.&#x20;8</dcvalue>
  <dcvalue element="description" qualifier="abstract">III-V&#x20;화합물&#x20;반도체,&#x20;예를&#x20;들어&#x20;GaAs는&#x20;가전자대의&#x20;최대와&#x20;전도대의&#x20;최소가&#x20;모두&#x20;k=0에서&#x20;나타나는&#x20;직접천이&#x20;밴드갭&#x20;물질이며&#x20;1.42&#x20;eV의&#x20;밴드갭을&#x20;가진다.&#x20;높은&#x20;전자&#x20;이동도(~9000&#x20;cm2&#x2F;V∙S)와&#x20;큰&#x20;흡수계수(α=6~12×〖10〗^3&#x20;〖cm〗^(-1))를&#x20;가져&#x20;Shockley-Queisser&#x20;efficiency&#x20;limit에&#x20;근접한&#x20;성능을&#x20;낼&#x20;수&#x20;있는&#x20;잠재력이&#x20;있다.&#x20;위와&#x20;같이&#x20;GaAs는&#x20;좋은&#x20;광&#x20;특성을&#x20;가지며,&#x20;이를&#x20;이용해&#x20;제작하는&#x20;디바이스의&#x20;박막화&#x20;및&#x20;유연화가&#x20;가능한&#x20;이점으로&#x20;많은&#x20;연구들이&#x20;진행되고&#x20;있으며&#x20;현재&#x20;다양한&#x20;photonic&#x20;device에&#x20;활용되고&#x20;있다.&#x20;특히&#x20;태양전지에&#x20;활용됨에&#x20;있어&#x20;그&#x20;두각을&#x20;나타내고&#x20;있다.&#x20;NREL에서&#x20;발표하고&#x20;있는&#x20;태양전지&#x20;효율&#x20;순위에서&#x20;GaAs기반의&#x20;다중접합과&#x20;단일접합&#x20;태양전지들이&#x20;압도적인&#x20;효율을&#x20;보여주고&#x20;있다.&#x20;다만&#x20;III-V&#x20;화합물&#x20;반도체는&#x20;비싼&#x20;재료비&#x20;때문에&#x20;우주∙군사&#x20;및&#x20;민감한&#x20;센서&#x20;등의&#x20;효율이&#x20;중요시&#x20;되는&#x20;분야에&#x20;한정적으로&#x20;쓰여져&#x20;왔다.&#x20;즉&#x20;GaAs&#x20;기반의&#x20;태양전지가&#x20;시장에서&#x20;더&#x20;큰&#x20;포션을&#x20;차지하기&#x20;위해서는&#x20;효율을&#x20;올려&#x20;더&#x20;많은&#x20;에너지를&#x20;생산해&#x20;내도록&#x20;하며,&#x20;또한&#x20;재료비를&#x20;절감할&#x20;수&#x20;있는&#x20;공정기술의&#x20;개발이&#x20;필요하다.&#x0A;본&#x20;논문에서는&#x20;하나의&#x20;GaAs&#x20;p-n접합으로&#x20;빛을&#x20;전면과&#x20;후면으로&#x20;동시에&#x20;빛을&#x20;흡수하여&#x20;동작하는&#x20;양면형&#x20;태양전지&#x20;구현에&#x20;대해&#x20;연구를&#x20;진행했다.&#x20;한정적인&#x20;공간&#x20;내에서&#x20;빛을&#x20;전면과&#x20;후면으로&#x20;동시에&#x20;흡수하여&#x20;더&#x20;많은&#x20;에너지를&#x20;생산해&#x20;낼&#x20;수&#x20;있는&#x20;개념의&#x20;디바이스&#x20;이다.&#x20;이를&#x20;구현하기&#x20;위해서는&#x20;다음과&#x20;같은&#x20;공정&#x20;기술들이&#x20;필요하다.&#x20;먼저&#x20;후면으로&#x20;빛을&#x20;흡수하기&#x20;위하여&#x20;두꺼운&#x20;GaAs&#x20;기판을&#x20;제거하는&#x20;박막화&#x20;공정이&#x20;필요하다.&#x20;이&#x20;때&#x20;박막을&#x20;지지하기&#x20;위하여&#x20;투명한&#x20;이종기판으로의&#x20;박막을&#x20;전사하는&#x20;공정&#x20;필요하며&#x20;동시에&#x20;전사될&#x20;박막과&#x20;투명한&#x20;이종기판을&#x20;접합하는&#x20;투명&#x20;접합에&#x20;대한&#x20;연구를&#x20;진행했다.&#x0A;바로&#x20;유연한&#x20;소자를&#x20;만드는&#x20;것은&#x20;굉장히&#x20;어려운&#x20;연구였고,&#x20;먼저&#x20;사파이어기판을&#x20;이종기판으로&#x20;하는&#x20;rigid한&#x20;양면형&#x20;단일접합&#x20;GaAs&#x20;태양전지를&#x20;구현하는&#x20;것을&#x20;선행연구로&#x20;진행하였다.&#x20;가장&#x20;먼저&#x20;진행된&#x20;연구는&#x20;투명&#x20;접합&#x20;연구이다.&#x20;표면에&#x20;태양전지&#x20;셀&#x20;패턴이&#x20;있고,&#x20;이를&#x20;폴리머&#x20;물질을&#x20;이용해&#x20;사파이어&#x20;기판에&#x20;안정적으로&#x20;접합하는&#x20;기술이&#x20;필요했다.&#x20;가시광&#x20;영역에서&#x20;투과율이&#x20;95%이상의&#x20;특성(두께&#x20;2μm기준)을&#x20;가진&#x20;투명&#x20;폴리머인&#x20;CYTOP을&#x20;GaAs기판의&#x20;p-GaAs층&#x20;위에&#x20;형성된&#x20;태양전지&#x20;셀&#x20;패턴과&#x20;양면&#x20;polishing된&#x20;사파이어기판&#x20;양쪽에&#x20;스핀&#x20;코팅&#x20;및&#x20;baking한&#x20;후,&#x20;CYTOP&#x20;to&#x20;CYTOP&#x20;cohesive&#x20;bonding을&#x20;하여&#x20;패턴이&#x20;깨지지&#x20;않고&#x20;안정적으로&#x20;강력하게&#x20;접합하는&#x20;조건을&#x20;찾았다.&#x20;이후&#x20;350μm의&#x20;두꺼운&#x20;GaAs기판은&#x20;습식&#x20;식각을&#x20;통해&#x20;제거한&#x20;후&#x20;후면에&#x20;형성되었던&#x20;태양전지&#x20;셀&#x20;패턴과&#x20;back-aligning&#x20;하여&#x20;전면&#x20;패턴&#x20;공정을&#x20;진행했다.&#x20;마지막으로&#x20;mesa&#x20;etching을&#x20;하여&#x20;태양전지&#x20;셀들을&#x20;defining하여&#x20;공정을&#x20;완료하였다.&#x20;공정&#x20;완료한&#x20;양면형&#x20;태양전지의&#x20;효율은&#x20;전면과&#x20;후면이&#x20;각각&#x20;12.72%와&#x20;8.79%로&#x20;측정됐다.&#x20;당시&#x20;후면&#x20;측정을&#x20;위한&#x20;set-up이&#x20;되어있지&#x20;않아서&#x20;측정&#x20;오차가&#x20;크게&#x20;발생하여&#x20;후면&#x20;충적률(Fill&#x20;factor,&#x20;FF)이&#x20;43.55%로&#x20;나타났고&#x20;이로&#x20;인해&#x20;후면&#x20;효율&#x20;오차가&#x20;크게&#x20;나타나&#x20;낮은&#x20;효율을&#x20;기록하였다.&#x0A;이후&#x20;flexible한&#x20;양면형&#x20;단일접합&#x20;GaAs&#x20;태양전지를&#x20;구현하였다.&#x20;이종기판으로&#x20;50μm&#x20;두께의&#x20;colorless-polyimide(CPI)를&#x20;사용하여&#x20;태양전지&#x20;박막을&#x20;지지하였고,&#x20;가시광대&#x20;영역에서&#x20;투과도가&#x20;90%&#x20;이상인&#x20;optical&#x20;epoxy를&#x20;사용해&#x20;투명&#x20;접합을&#x20;하였다.&#x20;또한&#x20;유연&#x20;소자에&#x20;적합한&#x20;투명∙유연&#x20;전극인&#x20;silver&#x20;nanowires(AgNWs)를&#x20;p-GaAs&#x20;층&#x20;위에&#x20;적용하였고&#x20;이를&#x20;위해&#x20;p-GaAs&#x20;to&#x20;AgNWs&#x20;ohmic&#x20;contact에&#x20;대한&#x20;선행&#x20;연구가&#x20;진행되었다.&#x20;GaAs기판의&#x20;p-GaAs층&#x20;위에&#x20;형성된&#x20;태양전지&#x20;셀&#x20;패턴에&#x20;epoxy를&#x20;스핀&#x20;코팅한&#x20;후&#x20;CPI를&#x20;부착한다.&#x20;이후&#x20;열&#x20;경화를&#x20;시키면서&#x20;GaAs기판의&#x20;측면에&#x20;묻은&#x20;epoxy를&#x20;최대한&#x20;제거해&#x20;주었다.&#x20;이후&#x20;공정들은&#x20;선행연구를&#x20;진행했던&#x20;rigid한&#x20;양면형&#x20;태양전지와&#x20;비슷하지만,&#x20;다른&#x20;점으로&#x20;유연한&#x20;소자를&#x20;후속공정하기&#x20;위해&#x20;단단한&#x20;사파이어&#x20;기판에&#x20;양면&#x20;캡톤&#x20;테이프를&#x20;사용해&#x20;부착하여&#x20;후속&#x20;공정을&#x20;진행했다.&#x20;두꺼운&#x20;GaAs기판은&#x20;습식&#x20;식각을&#x20;통해&#x20;제거한&#x20;후&#x20;후면&#x20;셀&#x20;패턴&#x20;공정을&#x20;진행하며&#x20;마지막으로&#x20;mesa&#x20;etching을&#x20;통해&#x20;디바이스를&#x20;완성시켰다.&#x20;양면측정용&#x20;지그를&#x20;사용하여&#x20;양면형&#x20;태양전지의&#x20;전면과&#x20;후면의&#x20;전기적&#x20;특성을&#x20;측정하였다.&#x20;전면에&#x20;p,&#x20;n컨택에&#x20;프로브를&#x20;접촉한&#x20;상태로&#x20;스테이지를&#x20;회전시켜&#x20;후면&#x20;측정을&#x20;같은&#x20;조건에서&#x20;진행할&#x20;수&#x20;있었다.&#x20;공정&#x20;완료한&#x20;양면형&#x20;태양전지&#x20;솔라시뮬레이터를&#x20;이용해&#x20;AM1.5G로&#x20;simulation된&#x20;태양광을&#x20;조사해&#x20;에너지변환&#x20;효율을&#x20;측정하였다.&#x20;측정된&#x20;전면과&#x20;후면의&#x20;효율은&#x20;각각&#x20;8.54%와&#x20;6.78%&#x20;이다.&#x0A;이번&#x20;연구들을&#x20;통해&#x20;목표했던&#x20;유연한&#x20;GaAs기반의&#x20;단일접합&#x20;양면형&#x20;태양전지를&#x20;구현하는데&#x20;성공하였다.&#x20;ARC를&#x20;적용하고,&#x20;전체&#x20;공정을&#x20;최적화하며&#x20;태양전지&#x20;heterostructure의&#x20;최적화&#x20;과정을&#x20;통해&#x20;효율개선을&#x20;할&#x20;수&#x20;있을&#x20;것이다.&#x0A;&#x20;마지막으로&#x20;기판&#x20;비파괴&#x20;분리&#x20;공정방법인&#x20;epitaxial&#x20;lift-off(ELO)&#x20;공정을&#x20;적용하여&#x20;양면형&#x20;태양전지를&#x20;구현하고&#x20;더&#x20;높은&#x20;효율을&#x20;얻는&#x20;것을&#x20;목표로&#x20;future&#x20;work을&#x20;계속&#x20;진행하고&#x20;있다.</dcvalue>
  <dcvalue element="description" qualifier="tableofcontents">제&#x20;1장&#x20;서론&#x20;&#x20;1&#x0A;&#x20;제&#x20;1.1절&#x20;III-V&#x20;화합물반도체인&#x20;GaAs&#x20;&#x20;1&#x0A;&#x20;제&#x20;1.2절&#x20;GaAs기반의&#x20;태양전지&#x20;및&#x20;연구&#x20;개발&#x20;동향&#x20;&#x20;3&#x0A;&#x20;제&#x20;1.3절&#x20;양면형&#x20;태양전지&#x20;&#x20;6&#x0A;&#x20;제&#x20;1.4절&#x20;각&#x20;장의&#x20;구성&#x20;&#x20;9&#x0A;제&#x20;2장&#x20;Rigid한&#x20;양면형&#x20;GaAs&#x20;태양전지&#x20;공정&#x20;및&#x20;전기적&#x20;특성&#x20;&#x20;10&#x0A;&#x20;제&#x20;2.1절&#x20;Rigid한&#x20;양면형&#x20;GaAs&#x20;단일접합&#x20;박막&#x20;태양전지&#x20;공정&#x20;과정&#x20;&#x20;10&#x0A;&#x20;제&#x20;2.2절&#x20;Rigid한&#x20;양면형&#x20;GaAs&#x20;단일접합&#x20;박막&#x20;태양전지의&#x20;전기적&#x20;특성&#x20;&#x20;14&#x0A;제&#x20;3장&#x20;Flexible한&#x20;양면형&#x20;GaAs&#x20;태양전지&#x20;공정&#x20;및&#x20;전기적&#x20;특성&#x20;&#x20;17&#x0A;&#x20;제&#x20;3.1절&#x20;Flexible한&#x20;양면형&#x20;GaAs&#x20;단일접합&#x20;박막&#x20;태양전지&#x20;공정&#x20;과정&#x20;&#x20;17&#x0A;&#x20;제&#x20;3.2절&#x20;Flexible한&#x20;양면형&#x20;GaAs&#x20;단일접합&#x20;박막&#x20;태양전지의&#x20;전기적&#x20;특성&#x20;&#x20;22&#x0A;제&#x20;4장&#x20;결론&#x20;&#x20;30&#x0A;참고문헌&#x20;&#x20;34</dcvalue>
  <dcvalue element="language" qualifier="iso">kor</dcvalue>
  <dcvalue element="publisher" qualifier="none">The&#x20;Graduate&#x20;School,&#x20;Ajou&#x20;University</dcvalue>
  <dcvalue element="rights" qualifier="none">아주대학교&#x20;논문은&#x20;저작권에&#x20;의해&#x20;보호받습니다.</dcvalue>
  <dcvalue element="title" qualifier="none">양면형&#x20;GaAs&#x20;단일접합&#x20;박막&#x20;태양전지&#x20;제작&#x20;연구</dcvalue>
  <dcvalue element="title" qualifier="alternative">Seonghyun&#x20;Nam</dcvalue>
  <dcvalue element="type" qualifier="none">Thesis</dcvalue>
  <dcvalue element="contributor" qualifier="affiliation">아주대학교&#x20;일반대학원</dcvalue>
  <dcvalue element="contributor" qualifier="alternativeName">Seonghyun&#x20;Nam</dcvalue>
  <dcvalue element="contributor" qualifier="department">일반대학원&#x20;전자공학과</dcvalue>
  <dcvalue element="date" qualifier="awarded">2019.&#x20;8</dcvalue>
  <dcvalue element="description" qualifier="degree">Master</dcvalue>
  <dcvalue element="identifier" qualifier="uci">I804:41038-000000029054</dcvalue>
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