전기전도도가 우수하고 전자이동에 대한 내성이 탁월한 Cu는 반도체 공정에서 배선물질로 각광받고 있다. 그러나 Cu는 쉽게 산화되고, Si이나 silicon oxide로 쉽게 확산된다는 단점이 있어 Cu 표면에 확산 및 산화를 방지하는 표면보호막을 씌우는 연구가 진행되고 있다. 그 중에서도 CoWP 박막은 Cu의 확산 및 표면 보호 특성이 우수하고 열 및 기계적 안정성이 뛰어나다. CoWP 박막 전착 연구에서 주로 알칼리 계열의 화학물질이 사용되었으나 sodium 이온(Na+)이나 potassium 이온(K+)이 SiO2층에 침투하여 절연막으로서의 특성을 악화시키는 것으로 알려져 있기에 본 연구에서는 알칼리 계열이 포함되지 않은 전해질을 사용하여 CoWP 박막을 전기도금 하였다. 여러 가지 전기화학적 분석법을 이용하여 Co, W, P가 공전착됨을 확인하였으며, 박막의 전착과정에서 속도 결정단계를 규명하였다. 또한 pH 및 온도를 변화시키며 박막을 전착시킨 후 전착된 박막의 두께, 조성, 부식 거동과 같은 박막의 특성 변화를 살펴보았다.
